|
ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО
ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ РЕГУЛИРОВАНИЮ И МЕТРОЛОГИИ
|
|
|
НАЦИОНАЛЬНЫЙ
СТАНДАРТ
российской
ФЕДЕРАЦИИ
|
ГОСТ Р ИСО
24497-1-
2009
|
Контроль неразрушающий
МЕТОД МАГНИТНОЙ ПАМЯТИ МЕТАЛЛА
Часть 1
Термины и определения
ISO 24497-1:2007
Non-destructive testing - Metal
magnetic memory -
Part 1: Vocabulary
(IDT)
|
|
Москва
Стандартинформ
2010
|
Предисловие
Цели и принципы стандартизации в Российской Федерации установлены Федеральным законом от 27 декабря 2002 г. № 184-ФЗ «О техническом регулировании», а правила применения национальных
стандартов Российской Федерации - ГОСТ Р 1.0-2004 «Стандартизация в Российской Федерации. Основные положения»
Сведения о стандарте
1
ПОДГОТОВЛЕН Автономной некоммерческой организацией «Научно-исследовательский
центр контроля и диагностики технических систем» (АНО «НИЦ КД») на основе собственного аутентичного перевода стандарта, указанного в пункте 4
2
ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 132 «Техническая диагностика»
3
УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 7 декабря 2009 г. № 586-ст
4
Настоящий стандарт идентичен международному стандарту ИСО 24497-1:2007 «Контроль
неразрушающий. Метод магнитной памяти металла. Часть 1. Термины и определения»
(ISO 24497-1:2007 «Non-destructive testing - Metal magnetic memory - Part 1: Vocabulary», IDT)
5
ВЗАМЕН ГОСТ Р 52081-2003
Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодно издаваемом
информационном указателе «Национальные стандарты», а текст изменений и поправок - в ежемесячно издаваемых информационных указателях «Национальные стандарты». В случае пересмотра
(замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано
в ежемесячно издаваемом информационном указателе «Национальные стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего
пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и
метрологии в сети Интернет
Содержание
НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
|
Контроль неразрушающий
МЕТОД МАГНИТНОЙ ПАМЯТИ МЕТАЛЛА
Часть 1
Термины и определения
Non-destructive testing. Metal magnetic
memory. Part 1. Terms and definitions
|
Дата введения - 2010-12-01
Настоящий стандарт устанавливает термины и определения для процедур в области неразрушающего контроля с использованием метода магнитной памяти металла.
Термины, указанные в настоящем стандарте, являются обязательными для использования во всех
типах документации и литературы в области неразрушающего контроля, при применении метода магнитной памяти металла, включенного в область действия работ по стандартизации, и/или использовании результатов этих работ.
2 Термины и определения
|
2.1 магнитная память металла; МПМ: Последействие, которое проявляется в виде остаточной намагниченности металла изделий и сварных соединений, сформировавшейся в процессе их изготовления и охлаждения в слабом магнитном поле, или в виде необратимого изменения намагниченности изделий в зонах концентрации напряжений и повреждений от рабочих нагрузок.
Примечание - Слабое магнитное поле - геомагнитное поле Земли и другие внешние поля в области Рэлея.
|
en Metal magnetic memory
|
|
2.2 собственное магнитное поле рассеяния изделия; СМПР: Магнитное поле рассеяния, возникающее на поверхности изделия в зонах устойчивых полос скольжения дислокаций под действием рабочих или остаточных напряжений или в зонах максимальной неоднородности структуры металла.
Примечание - СМПР характеризует МПМ.
|
en Self-magnetic - leakage field of the
components
|
|
2.3 метод магнитной памяти металла; метод МПМ: Метод неразрушающего
контроля, основанный на анализе распределения СМПР на поверхности изделий для определения зон концентрации напряжений, дефектов и неоднородности структур металла и сварных соединений.
|
en Method of metal magnetic memory
|
|
2.4 магнитодислокационный гистерезис: Петля гистерезиса, обусловленная закреплением стенок магнитных доменов (стенок Блоха) на скоплениях дислокаций в слабом магнитном поле.
|
en Magneto - dislocation hysteresis
|
|
2.5 критический размер локальных зон нарушения устойчивости оболочки изделия lкр: Минимальное расстояние между двумя ближайшими устойчивыми полосами скольжения дислокаций в слоях материала, возникающее в момент потери устойчивости оболочки изделия под действием нагрузок.
Примечание - Критический размер оболочки на поверхности изделия характеризуется расстоянием между двумя ближайшими экстремальными значениями СМПР, кратными типоразмеру оболочки.
|
en Critical size of the local zones of
instability of the shell of a component
|
|
2.6 напряженность СМПР: Числовая характеристика напряженности магнитного поля рассеяния, измеренной на поверхности изделия по методу магнитной памяти металла.
|
en SMLF Intensity
|
|
2.7 градиент СМПР: Отношение модуля разности напряженности магнитного поля рассеяния, измеренной в двух точках контроля, к расстоянию между ними.
|
en SMLF gradient
|
|
2.8 магнитный показатель деформационной способности металла m:
Отношение максимального значения градиента СМПР к среднему значению.
|
en Magnetic index of the deformation capability
of the metal
|
|
2.9 предельный магнитный показатель деформационной способности
металла mпр: Отношение максимального значения градиента СМПР, соответствующего пределу прочности металла, к среднему значению градиента СМПР, соответствующему пределу текучести металла.
|
en Limiting value mlim of the magnetic index of the metal deformation
capability
|
|
2.10 канал измерений СМПР: Напряженность СМПР, измеренная одним феррозондовым преобразователем.
|
en SMLF measurement channel
|
|
2.11 базовое расстояние между двумя каналами измерений СМПР lб: Расстояние между двумя каналами измерений СМПР, устанавливаемое при настройке датчика.
|
en Base distance between two SMLF measurement
channels
|
|
2.12 диаграмма СМПР: Графическое изображение распределения СМПР и его градиента вдоль контролируемого участка.
|
en SMLF diagram
|
|
2.13 дискретность записи напряженности СМПР: Расстояние между двумя
соседними точками измерений напряженности магнитного поля рассеяния.
|
en Discreteness unit of the SMLF intensity
recording
|
|
2.14 калибровка аппаратуры, применяемой для измерений магнитной памяти металла: Настройка датчиков измерения магнитного поля рассеяния с использованием эталонной катушки и устройства, чувствительного к изменению пространственного положения, с использованием эталонного образца для измерения длины.
|
en Calibration of the equipment used to measure
the metal magnetic memory
|
|
2.15 установка режима работы аппаратуры по методу МПМ: Настройка
аппаратуры, описанная в руководстве по эксплуатации, в соответствии с главным меню прибора.
|
en Setting of equipment operational mode by the МММ
method
|
|
2.16 помехи при измерениях по методу МПМ: Наличие факторов, искажающих СМПР объекта контроля.
|
en Interference noise during measurements by the МММ method
|
Примечание - Факторы, искажающие СМПР объекта контроля:
- источники сильного и неоднородного магнитного поля вблизи объекта контроля;
- наличие постороннего ферромагнитного изделия на объекте контроля или вблизи зоны контроля;
- наличие внешнего магнитного поля и поля от электросварки на объекте контроля;
- наличие локальной искусственной намагниченности металла.
|
гистерезис магнитодислокационный
|
2.4
|
|
градиент СМПР
|
2.7
|
|
диаграмма СМПР
|
2.12
|
|
дискретность записи
напряженности СМПР
|
2.13
|
|
калибровка аппаратуры,
применяемой для измерений магнитной памяти металла
|
2.14
|
|
канал измерений СМПР
|
2.10
|
|
метод магнитной памяти
металла
|
2.3
|
|
метод МПМ
|
2.3
|
|
МПМ
|
2.3
|
|
напряженность СМПР
|
2.6
|
|
память металла
магнитная
|
2.1
|
|
показатель
деформационной способности металла магнитный
|
2.8
|
|
показатель деформационной
способности металла магнитный предельный
|
2.9
|
|
поле рассеяния изделия
магнитное собственное
|
2.2
|
|
помехи при измерениях
по методу МПМ
|
2.16
|
|
размер локальных зон
нарушения устойчивости оболочки изделия критический
|
2.5
|
|
расстояние между двумя
каналами измерений СМПР базовое
|
2.11
|
|
СМПР
|
2.2
|
|
установка режима
работы аппаратуры по методу МПМ
|
2.15
|
|
base distance between the two SMLF measurement channels
|
2.11
|
|
calibration of the equipment used to measure the metal magnetic memory
|
2.14
|
|
critical size of the local zones of instability of the shell of a
component
|
2.5
|
|
discreteness unit of the SMLF intensity recording
|
2.13
|
|
interference noise during measurements by the МММ method
|
2.16
|
|
limiting value of the magnetic index of the metal deformation
capability
|
2.9
|
|
magnetic index of the deformation capability of the metal
|
2.8
|
|
magneto-dislocation hysteresis
|
2.4
|
|
metal magnetic memory
|
2.1
|
|
method of metal magnetic memory
|
2.3
|
|
self-magnetic-leakage field of the components
|
2.2
|
|
setting of equipment operational mode by the МММ method
|
2.15
|
|
SMLF diagram
|
2.12
|
|
SMLF gradient
|
2.7
|
|
SMLF intensity
|
2.6
|
|
SMLF measurement channel
|
2.10
|
Ключевые
слова:
магнитная память металла, зона концентрации напряжений, напряженность
магнитного поля рассеяния, неразрушающий контроль