| Утвержден и введен в действие Постановлением Госстандарта СССР от 16 августа 1973 г. N 2002 МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ ЕДИНАЯ СИСТЕМА КОНСТРУКТОРСКОЙ ДОКУМЕНТАЦИИ ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ Unified
system for design documentation. Graphical
symbols in diagrams. Semiconductor devices ГОСТ 2.730-73 Группа Т52 Дата введения 1 июля 1974 года ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ 1. Разработан и внесен Государственным
комитетом стандартов Совета Министров СССР. 2. Утвержден и введен в действие
Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от
16.08.1973 N 2002. 3. Соответствует СТ
СЭВ 661-88. 4. Взамен ГОСТ 2.730-68, ГОСТ 2.747-68 в
части пп. 33 и 34 таблицы. 5. Издание (февраль 2005 г.) с
Изменениями N 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г., марте
1989 г., июле 1991 г. (ИУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91). 1. Настоящий стандарт устанавливает правила
построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на
схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях
промышленности. (Измененная
редакция, Изм. N 3). 2. Обозначения элементов
полупроводниковых приборов приведены в табл. 1. Таблица 1 ──────────────────────────────────────────────────────┬─────────── Наименование │Обозначение ──────────────────────────────────────────────────────┼─────────── 1. (Исключен, Изм. N 2). │ 2. Электроды: │ база с одним выводом │ Рисунок база с двумя выводами │ Рисунок P-эмиттер с N-областью │ Рисунок N-эмиттер с P-областью │ Рисунок несколько P-эмиттеров с N-областью │ Рисунок несколько N-эмиттеров с P-областью │ Рисунок коллектор с базой │ Рисунок несколько коллекторов, например, четыре коллектора │ Рисунок на базе │ 3. Области: │ область между проводниковыми слоями с различной │ Рисунок электропроводностью │ Переход от P-области к N-области и наоборот │ область собственной электропроводности (I-область): │ 1) между областями с электропроводностью разного │ Рисунок типа PIN или NIP │ 2) между областями с электропроводностью одного │ Рисунок типа PIP или NIN │ 3) между коллектором и областью с противоположной │ Рисунок электропроводностью PIN или NIP │ 4) между коллектором и областью │ Рисунок с электропроводностью того же типа PIP или NIN │ 4. Канал проводимости для полевых транзисторов: │ обогащенного типа │ Рисунок обедненного типа │ Рисунок 5. Переход PN │ Рисунок 6. Переход NP │ Рисунок 7. P-канал на подложке N-типа, обогащенный тип │ Рисунок 8. N-канал на подложке P-типа, обедненный тип │ Рисунок 9. Затвор изолированный │ Рисунок 10. Исток и сток │ Рисунок Примечание. Линия истока должна быть изображена │ на продолжении линии затвора, например: │ │ 11. Выводы полупроводниковых приборов: │ электрически не соединенные с корпусом │ Рисунок электрически соединенные с корпусом │ Рисунок 12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте │ Рисунок присоединения к корпусу помещать точку │ (Измененная
редакция, Изм. N 2, 3). 3, 4. (Исключены, Изм.
N 1). 5. Знаки, характеризующие физические
свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл. 4. Таблица 4 ────────────────────────────────────────────────────┬───────────── Наименование │ Обозначение ────────────────────────────────────────────────────┼───────────── 1. Эффект туннельный │ а) прямой │ Рисунок б) обращенный │ Рисунок 2. Эффект лавинного пробоя: │ а) односторонний │ Рисунок б) двухсторонний │ Рисунок 3 - 8. (Исключены, Изм. N 2) │ 9. Эффект Шоттки │ Рисунок 6. Примеры построения обозначений
полупроводниковых диодов приведены в табл. 5. Таблица 5 ────────────────────────────────────────────────────┬───────────── Наименование │ Обозначение ────────────────────────────────────────────────────┼───────────── 1. Диод │ Общее обозначение │ Рисунок 2. Диод туннельный │ Рисунок 3. Диод обращенный │ Рисунок 4. Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный) │ а) односторонний │ Рисунок б) двухсторонний │ Рисунок 5. Диод теплоэлектрический │ Рисунок 6. Варикап (диод емкостный) │ Рисунок 7. Диод двунаправленный │ Рисунок 8. Модуль с несколькими (например, тремя) │ Рисунок одинаковыми диодами с общим анодным │ и самостоятельными катодными выводами │ 8а. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с │ Рисунок общим катодным и самостоятельными анодными выводами │ 9. Диод Шотки │ Рисунок 10. Диод светоизлучающий │ Рисунок 7. Обозначения тиристоров приведены в
табл. 6. Таблица 6 ──────────────────────────────────────────────────────┬─────────── Наименование │Обозначение ──────────────────────────────────────────────────────┼─────────── 1. Тиристор диодный, запираемый в обратном │ Рисунок направлении │ 2. Тиристор диодный, проводящий в обратном │ Рисунок направлении │ 3. Тиристор диодный симметричный │ Рисунок 4. Тиристор триодный. Общее обозначение │ Рисунок 5. Тиристор триодный, запираемый в обратном │ направлении с управлением: │ по аноду │ Рисунок по катоду │ Рисунок 6. Тиристор триодный выключаемый: │ общее обозначение │ Рисунок запираемый в обратном направлении, с управлением │ Рисунок по аноду │ запираемый в обратном направлении, с управлением │ Рисунок по катоду │ 7. Тиристор триодный, проводящий в обратном │ направлении: │ общее обозначение │ Рисунок с управлением по аноду │ Рисунок с управлением по катоду │ Рисунок 8. Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) -│ Рисунок триак │ 9. Тиристор тетроидный, запираемый в обратном │ Рисунок направлении │ Примечание. Допускается обозначение тиристора
с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны
треугольника. 8. Примеры построения обозначений
транзисторов с P-N-переходами приведены в табл. 7. Таблица 7 ──────────────────────────────────────────────────────┬─────────── Наименование │Обозначение ──────────────────────────────────────────────────────┼─────────── 1. Транзистор │ а) типа PNP │ Рисунок б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана │ Рисунок 2. Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом│ Рисунок 3. Транзистор лавинный типа NPN │ Рисунок 4. Транзистор однопереходный с N-базой │ Рисунок 5. Транзистор однопереходный с P-базой │ Рисунок 6. Транзистор двухбазовый типа NPN │ Рисунок 7. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом │ Рисунок от i-области │ 8. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом │ Рисунок от i-области │ 9. Транзистор многоэмиттерный типа NPN │ Рисунок Примечание. При выполнении схем
допускается: а) выполнять обозначения транзисторов в
зеркальном изображении, например,
б) изображать корпус транзистора. 9. Примеры построения обозначений полевых
транзисторов приведены в табл. 8. Таблица 8 ──────────────────────────────────────────────────────┬─────────── Наименование │Обозначение ──────────────────────────────────────────────────────┼─────────── 1. Транзистор полевой с каналом типа N │ Рисунок 2. Транзистор полевой с каналом типа P │ Рисунок 3. Транзистор полевой с изолированным затвором │ Рисунок без вывода от подложки: │ а) обогащенного типа с P-каналом │ Рисунок б) обогащенного типа с N-каналом │ Рисунок в) обедненного типа с P-каналом │ Рисунок г) обедненного типа с N-каналом │ Рисунок 4. Транзистор полевой с изолированным затвором │ Рисунок обогащенного типа с N-каналом, с внутренним │ соединением истока и подложки │ 5. Транзистор полевой с изолированным затвором │ Рисунок с выводом от подложки обогащенного типа с P-каналом │ 6. Транзистор полевой с двумя изолированными │ Рисунок затворами обедненного типа с P-каналом с выводом │ от подложки │ 7. Транзистор полевой с затвором Шоттки │ Рисунок 8. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки │ Рисунок Примечание. Допускается изображать корпус
транзисторов. 10. Примеры построений обозначений
фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл. 9. Таблица 9 ──────────────────────────────────────────────────────┬─────────── Наименование │Обозначение ──────────────────────────────────────────────────────┼─────────── 1. Фоторезистор: │ а) общее обозначение │ Рисунок б) дифференциальный │ Рисунок 2. Фотодиод │ Рисунок 3. Фототиристор │ Рисунок 4. Фототранзистор: │ а) типа PNP │ Рисунок б) типа NPN │ Рисунок 5. Фотоэлемент │ Рисунок 6. Фотобатарея │ Рисунок 11. Примеры построения обозначений
оптоэлектронных приборов приведены в табл. 10. Таблица 10 ──────────────────────────────────────────────────────┬─────────── Наименование │Обозначение ──────────────────────────────────────────────────────┼─────────── 1. Оптрон диодный │ Рисунок 2. Оптрон тиристорный │ Рисунок 3. Оптрон резисторный │ Рисунок 4. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом │ и усилителем: │ а) совмещенно │ Рисунок б) разнесенно │ Рисунок 5. Прибор оптоэлектронный с фототранзистором: │ а) с выводом от базы │ Рисунок б) без вывода от базы │ Рисунок Примечания. 1. Допускается изображать
оптоэлектронные приборы разнесенным способом. При этом знак оптического
взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения
по ГОСТ 2.721-74, например:
2. Взаимная ориентация обозначений
источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания
схемы, например:
12. Примеры построения обозначений прочих
полупроводниковых приборов приведены в табл. 11. Таблица 11 ──────────────────────────────────────────────────────┬─────────── Наименование │Обозначение ──────────────────────────────────────────────────────┼─────────── 1. Датчик Холла │ Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими│ Рисунок от коротких сторон прямоугольника │ 2. Резистор магниточувствительный │ Рисунок 3. Магнитный разветвитель │ Рисунок 13. Примеры изображения типовых схем на
полупроводниковых диодах приведены в табл. 12. Таблица 12 ──────────────────────────────────────────────────────┬─────────── Наименование │Обозначение ──────────────────────────────────────────────────────┼─────────── 1. Однофазная мостовая выпрямительная схема: │ а) развернутое изображение │ Рисунок б) упрощенное изображение (условное графическое │ Рисунок обозначение) │ Примечание. К выводам 1 - 2 подключается│ напряжение переменного тока; выводы 3 - 4 -│ выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную│ полярность. │ Цифры 1, 2, 3 и 4 указаны для пояснения. │ Пример применения условного графического│ Рисунок обозначения на схеме. │ │ 2. Трехфазная мостовая выпрямительная схема │ Рисунок 3. Диодная матрица (фрагмент) │ Рисунок Примечание. Если все диоды в узлах матрицы│ Рисунок включены идентично, то допускается применять│ упрощенный способ изображения. При этом на схеме│ должны быть приведены пояснения о способе включения│ диодов. │ 14. Условные графические обозначения
полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих
устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской
документации, приведены в табл. 13. Таблица 13 ───────────────────────────────────────┬────────────┬───────────── Наименование │Обозначение │Отпечатанное │ │ обозначение ───────────────────────────────────────┼────────────┼───────────── 1. Диод │ Рисунок │ Рисунок 2. Транзистор типа PNP │ Рисунок │ Рисунок 3. Транзистор типа NPN │ Рисунок │ Рисунок 4. Транзистор типа PNIP с выводом │ Рисунок │ Рисунок от I-области │ │ 5. Многоэмиттерный транзистор типа NPN│ Рисунок │ Рисунок Примечание к пп.
2 - 5. Звездочкой отмечают вывод базы, знаком "больше" или
"меньше" - вывод эмиттера. 15. Размеры (в модульной сетке) основных
условных графических обозначений даны в Приложении 2. (Измененная
редакция, Изм. N 4). Приложение 1. (Исключено,
Изм. N 4). Приложение 2 Справочное РАЗМЕРЫ (В МОДУЛЬНОЙ СЕТКЕ) ОСНОВНЫХ УСЛОВНЫХ ГРАФИЧЕСКИХ ОБОЗНАЧЕНИЙ ──────────────────────────────────────────────────────┬─────────── Наименование │Обозначение ──────────────────────────────────────────────────────┼─────────── 1. Диод │ Рисунок 2. Тиристор диодный │ Рисунок 3. Тиристор триодный │ Рисунок 4. Транзистор │ Рисунок 5. Транзистор полевой │ Рисунок 6. Транзистор полевой с изолированным затвором │ Рисунок Приложение 2. (Введено
дополнительно, Изм. N 3). |
