ГОСТ 24352-80

Излучатели полупроводниковые. Основные параметры

Обозначение:ГОСТ 24352-80
Статус:действующий
Название рус.:Излучатели полупроводниковые. Основные параметры
Название англ.:Semiconductor photoemitters. Main parameters
Дата актуализации текста:27.10.2010
Дата актуализации описания:27.10.2010
Дата введения в действие:01.01.1982
Область и условия применения:Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые полупроводниковые оптоэлектронные излучатели: инфракрасные излучающие диоды и светоизлучающие диоды и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров
Взамен в части:ГОСТ 17465-72 в части пп. 13, 14, 15
Список изменений:№1 от 01.07.1988 (рег. 07.01.1988) «Срок действия продлен»


ГОСТ 24352-80
ГОСТ 24352-80
ГОСТ 24352-80
ГОСТ 24352-80

 


 
© Информационно-справочная онлайн система "Технорма.RU" , 2010.
Бесплатный круглосуточный доступ к любым документам системы.

При полном или частичном использовании любой информации активная гиперссылка на Tehnorma.RU обязательна.


Внимание! Все документы, размещенные на этом сайте, не являются их официальным изданием.
 
Яндекс цитирования