|
| Обозначение: | ГОСТ 20859.1-89 |
| | Статус: | действующий |
| | Название рус.: | Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования |
|
| Название англ.: | Power semiconductor devices. General technical requirements |
|
| Дата актуализации текста: | 27.10.2010 |
| | Дата актуализации описания: | 27.10.2010 |
|
| Дата введения в действие: | 01.01.1990 |
|
| Область и условия применения: | Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок.
Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие:
1) в средах с токопроводящей пылью;
2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы;
3) во взрывоопасной среде;
4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений |
|
| Взамен: | ГОСТ 20859.1-79 |
|
| Заменяющий в части: | ГОСТ 30617-98 в части модулей |
|
